Nexperia P-Kanal, MOSFET, 5,6 A -20 V, 3 ben, SOT-23 AEC-Q101 PMV27UPEAR

P-kanals MOSFET'er, det perfekte valg til dit design, når N-kanaler ganske enkelt ikke er velegnede. Vores omfattende MOSFET-katalog indeholder også mange serier med P-kanals enheder, der er baseret på Nexperias førende Trench-teknologi. De har mærkeværdi fra 12 V til 70 V og er kapslet i laveffekts og mediumeffekts huse, og de har vores velkendte blanding af høj effektivitet og høj pålidelighed.

20 V, P-kanals Trench MOSFET, P-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et lille overflademonteret (SMD) SOT23-plasthus (TO-236AB) med Trench MOSFET-teknologi.

Trench MOSFET-teknologi
Lav tærskelspænding
Meget hurtigt skift
Forbedret kapacitet med hensyn til effekttab: Ptot = 980 mW
Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) 2 kV HBM
AEC-Q101 kvalificeret
LED-driver
Strømstyring
Højside belastningsafbryder
Koblingskredsløb