Nexperia N-Kanal, MOSFET, 3,2 A 20 V, 4 ben, DFN1010D-3 PMXB43UNEZ

N-kanals MOSFET'er ≤20 V. Få de optimale koblingsløsninger til dine bærbare designs. Vælg mellem et bredt udvalg af enkelte og dobbelte N-kanals MOSFET'er op til 20 V. Stor driftssikkerhed på grund af vores anerkendte TrenchMOS- og husteknologi. Vores lavspændings MOSFET'er, der er lette at bruge, er specielt udviklet til at opfylde kravene til bærbare anvendelser med lav driftsspænding.

20 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et meget lille ledningsfrit overflademonteret (SMD) DFN1010D-3-plasthus (SOT1215) med Trench MOSFET-teknologi.

Trench MOSFET-teknologi
Meget lille og tynd SMD-plasthus uden ledning: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Frilagt drænpude for fremragende termisk ledeevne
Meget lav drain-source on-state modstand RDSon = 42 mΩ
1 kV ESD-beskyttet
Lav-side belastningsomskifter og opladningskontakt til bærbare enheder
Strømstyring i batteridrevne bærbare enheder
LED-driver
DC-til-DC-konvertere