Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 3.2 A 30 V Forbedring, 4 Ben, DFN
- RS-varenummer:
- 153-1892
- Producentens varenummer:
- PMXB56ENZ
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 47,875
(ekskl. moms)
Kr. 59,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 1,915 | Kr. 47,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 153-1892
- Producentens varenummer:
- PMXB56ENZ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 87mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 8.33W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 1.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.05 mm | |
| Højde | 0.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 87mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 8.33W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 1.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.05 mm | ||
Højde 0.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanals MOSFET'er 25 V - 30 V. Robust ydeevne takket være avanceret teknologi-knowhow, MOSFET'er, der er lette at bruge, i området fra 25 V til 30 V. Perfekte til anvendelser med begrænset plads og strøm, og de har fremragende skifteevne og sikkert arbejdsområde (SOA), der er førende i sin klasse. Har du behov for en anden mærkespænding? Se resten af vores enorme portefølje for flere muligheder.
30 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et meget lille ledningsfrit overflademonteret (SMD) DFN1010D-3-plasthus (SOT1215) med Trench MOSFET-teknologi.
Trench MOSFET-teknologi
Meget lille og tynd SMD-plasthus uden ledning: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Frilagt drænpude for fremragende termisk ledeevne
Meget lav drain-source on-state modstand RDSon = 49 mΩ
Meget hurtigt skift
Lav-side belastningsomskifter og opladningskontakt til bærbare enheder
Strømstyring i batteridrevne bærbare enheder
LED-driver
DC-til-DC-konvertere
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 3.2 A 30 V Forbedring DFN Nej
- Nexperia Type N-Kanal 3.2 A 12 V Forbedring DFN Nej
- Nexperia Type N-Kanal 3.2 A 12 V Forbedring DFN Nej PMXB40UNEZ
- Nexperia Type P-Kanal -3.2 A -12 V Forbedring DFN Nej
- Nexperia Type P-Kanal -3.2 A -12 V Forbedring DFN Nej PMXB65UPEZ
- Nexperia 1 Type N-Kanal Enkelt 4 Ben, DFN PMXB43UNEZ
- Nexperia Type N-Kanal 7 A 30 V Forbedring DFN, PMPB20EN Nej
- Nexperia Type N-Kanal 9 A 30 V Forbedring DFN, PMPB11EN Nej
