Nexperia N-Kanal, MOSFET, 3,2 A 30 V, 4 ben, DFN1010D-3 PMXB56ENZ

N-kanals MOSFET'er 25 V - 30 V. Robust ydeevne takket være avanceret teknologi-knowhow, MOSFET'er, der er lette at bruge, i området fra 25 V til 30 V. Perfekte til anvendelser med begrænset plads og strøm, og de har fremragende skifteevne og sikkert arbejdsområde (SOA), der er førende i sin klasse. Har du behov for en anden mærkespænding? Se resten af vores enorme portefølje for flere muligheder.

30 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et meget lille ledningsfrit overflademonteret (SMD) DFN1010D-3-plasthus (SOT1215) med Trench MOSFET-teknologi.

Trench MOSFET-teknologi
Meget lille og tynd SMD-plasthus uden ledning: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Frilagt drænpude for fremragende termisk ledeevne
Meget lav drain-source on-state modstand RDSon = 49 mΩ
Meget hurtigt skift
Lav-side belastningsomskifter og opladningskontakt til bærbare enheder
Strømstyring i batteridrevne bærbare enheder
LED-driver
DC-til-DC-konvertere