Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 2.8 A 80 V Forbedring, 8 Ben, DFN AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 63,275

(ekskl. moms)

Kr. 79,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 225Kr. 2,531Kr. 63,28
250 - 600Kr. 1,90Kr. 47,50
625 - 1225Kr. 1,52Kr. 38,00
1250 - 2475Kr. 1,382Kr. 34,55
2500 +Kr. 1,272Kr. 31,80

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-3200
Producentens varenummer:
PMPB215ENEAX
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.8A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

445mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

15.6W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

2.1 mm

Længde

2.1mm

Højde

0.65mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

80 V, enkelt N-kanal Trench MOSFET, N-kanal felteffekttransistor (FET) med optimeret tilstand i et ledningsfrit mellemstort DFN2020MD-6 (SOT1220) overflademonteret (SMD) plasthus med Trench MOSFET-teknologi.

Trench MOSFET-teknologi

Lille og ledningsfrit, meget tyndt SMD plasthus: 2 x 2 x 0,65 mm

Udsat aftapningspude for fremragende termisk ledeevne

Fortinnede 100 % lodbare sidepuder til optisk loddeinspektion

AEC-Q101 kvalificeret

Relaterede links