onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Forbedring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H801N AEC-Q101 NVMFS6H801NT1G
- RS-varenummer:
- 178-4450
- Producentens varenummer:
- NVMFS6H801NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 155,28
(ekskl. moms)
Kr. 194,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 480 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 15,528 | Kr. 155,28 |
| 100 - 240 | Kr. 13,382 | Kr. 133,82 |
| 250 + | Kr. 11,609 | Kr. 116,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-4450
- Producentens varenummer:
- NVMFS6H801NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 157A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | NVMFS6H801N | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 64nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 166W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.1mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 157A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie NVMFS6H801N | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 166W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.1mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Bilstrøm MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Vanddispergerbar flanke kan leveres som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. Velegnet til brug i biler.
Funktioner
Lille format (5 x 6 mm)
Lav RDS(on)
Lav QG og kapacitet
NVMFS6H801NWF - vanddispergerbar flanke fås som ekstraudstyr
PPAP-kapacitet
Fordele
Kompakt design
Minimere konduktive tab
Minimer drivertab
Forbedret optisk inspektion
Anvendelsesområder
Switch-mode strømforsyninger
Strømkontakter (højside driver, lavside driver, H-broer osv.)
48 V-systemer
Slutprodukter
Motorstyring
DC/DC konverter
Belastningsomskifter
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 157 A 80 V Forbedring DFN, NVMFS6H801N AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 157 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS6H801N Nej
- onsemi Type N-Kanal 157 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS6H801N Nej NTMFS6H801NT1G
- onsemi Type N-Kanal 337 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 337 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101 NVMTS1D2N08H
- onsemi Type N-Kanal 89 A 80 V Forbedring DFN, NVMFS6D1N08H AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 123 A 80 V Forbedring DFN, NVMFS6H818N AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 203 A 80 V Forbedring DFN, NVMFS6H800N AEC-Q101