Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 3.2 A 12 V Forbedring, 4 Ben, DFN

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 41,60

(ekskl. moms)

Kr. 52,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 10.000 enhed(er) afsendes fra 20. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 1,664Kr. 41,60
125 - 1225Kr. 0,73Kr. 18,25
1250 - 2475Kr. 0,688Kr. 17,20
2500 - 3725Kr. 0,67Kr. 16,75
3750 +Kr. 0,655Kr. 16,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
153-1958
Producentens varenummer:
PMXB40UNEZ
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.2A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

121mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

66nC

Portkildespænding maks.

8 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

8.33W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

1.15mm

Højde

0.36mm

Bredde

1.05 mm

Bilindustristandarder

Nej

12 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et meget lille ledningsfrit overflademonteret (SMD) DFN1010D-3-plasthus (SOT1215) med Trench MOSFET-teknologi.

Trench MOSFET-teknologi

Meget lille og tynd SMD-plasthus uden ledning: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Frilagt drænpude for fremragende termisk ledeevne

Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) 1 kV

Meget lav drain-source on-state modstand RDSon = 34 mΩ

Meget lav tærskelspænding på 0,65 V til transportable anvendelser

Lav-side belastningsomskifter og opladningskontakt til bærbare enheder

Strømstyring i batteridrevne bærbare enheder

LED-driver

DC-til-DC-konvertere

Relaterede links