Nexperia N-Kanal, MOSFET, 6 A 12 V, 4 ben, WLCSP PMCM4401VNEAZ

N-kanals MOSFET'er ≤20 V. Få de optimale koblingsløsninger til dine bærbare designs. Vælg mellem et bredt udvalg af enkelte og dobbelte N-kanals MOSFET'er op til 20 V. Stor driftssikkerhed på grund af vores anerkendte TrenchMOS- og husteknologi. Vores lavspændings MOSFET'er, der er lette at bruge, er specielt udviklet til at opfylde kravene til bærbare anvendelser med lav driftsspænding.

12 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) i optimeret tilstand i et Wafer-Level Chip-Size hus (WLCSP) med 4 bump og Trench MOSFET-teknologi.

Lav tærskelspænding
Meget lille hus: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm
Trench MOSFET-teknologi
Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) > 2 kV HBM
Relædriver
Højhastigheds linjedriver
Lavside belastningsafbryder
Koblingskredsløb