Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 79 A 40 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, BUK9Y7R640E AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 153-2862
- Producentens varenummer:
- BUK9Y7R6-40E,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 135,25
(ekskl. moms)
Kr. 169,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 5,41 | Kr. 135,25 |
| 125 - 225 | Kr. 3,896 | Kr. 97,40 |
| 250 - 600 | Kr. 3,794 | Kr. 94,85 |
| 625 - 1225 | Kr. 3,695 | Kr. 92,38 |
| 1250 + | Kr. 3,605 | Kr. 90,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 153-2862
- Producentens varenummer:
- BUK9Y7R6-40E,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 79A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | BUK9Y7R640E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15.28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 95W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 79A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie BUK9Y7R640E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15.28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 95W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanals 40 V, 7,6 mΩ MOSFET på logikniveau i LFPAK56, N-kanals MOSFET på logikniveau i et LFPAK56-hus (Power SO8) med TrenchMOS-teknologi. Dette produkt er udviklet og kvalificeret iht. AEC Q101-standard til brug i højtydende biler.
Q101-kompatibel
Normeret til gentagen strøm
Velegnet til termisk krævende miljøer på grund af 175 °C nominel effekt
Sand logikniveau-gate med VGS(th)-normering på mere end 0,5 V ved 175 °C
12 V systemer til brug i biler
Motorer, lamper og magnetventilstyring
Transmissionsstyring
Strøm-switching med ultrahøj ydeevne
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 79 A 40 V Forbedring LFPAK, BUK9Y7R640E AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 25 A 40 V Forbedring LFPAK, BUK9Y2940E AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 16.7 A 60 V Forbedring LFPAK, BUK9Y59 AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 184 A 55 V Forbedring LFPAK, BUK9Y19 AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 30 A 40 V Forbedring LFPAK AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 32 A 60 V Forbedring LFPAK AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 55 A 25 V Forbedring LFPAK
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring LFPAK