International Rectifier Type N-Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, IRLML2502 Nej
- RS-varenummer:
- 162-3274
- Producentens varenummer:
- IRLML2502TRPBF
- Brand:
- International Rectifier
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.220,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.760,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 75.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,74 | Kr. 2.220,00 |
| 6000 - 6000 | Kr. 0,703 | Kr. 2.109,00 |
| 9000 + | Kr. 0,658 | Kr. 1.974,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 162-3274
- Producentens varenummer:
- IRLML2502TRPBF
- Brand:
- International Rectifier
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | International Rectifier | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | IRLML2502 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand International Rectifier | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie IRLML2502 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
20 V enkelt N-kanals HEXFET Power MOSFET i et mikro 3-hus
Benforbindelser iht. industristandard, SOT-23-hus
Kompatibel med eksisterende overflademonterede teknikker, halogenfri
Kompatibel med flere mærker
Lettere produktion
Mere miljøvenlig
Øget pålidelighed
Relaterede links
- International Rectifier N-Kanal 4 3 ben IRLML2502 IRLML2502TRPBF
- International Rectifier N-Kanal 2 A 55 V SOT-223 AUIRLL014N
- International Rectifier 401CNQ045 Diode
- International Rectifier PVG612APBF 2 A 6 Ben, PDIP
- DiodesZetex P-Kanal 4 3 ben, SOT-23 DMP2305U-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 3 ben, SOT-23 DMG2302U-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 3 ben, SOT-23 DMG3414U-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 3 ben, SOT-23 DMN2075U-7
