International Rectifier N-Kanal, MOSFET, 4,2 A 20 V, 3 ben, SOT-23, IRLML2502 IRLML2502TRPBF

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

20 V enkelt N-kanals HEXFET Power MOSFET i et mikro 3-hus

Benforbindelser iht. industristandard, SOT-23-hus
Kompatibel med eksisterende overflademonterede teknikker, halogenfri
Kompatibel med flere mærker
Lettere produktion
Mere miljøvenlig
Øget pålidelighed

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.