Infineon N-Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF3710ZS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 126,56

(ekskl. moms)

Kr. 158,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 280 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 130 enhed(er) afsendes fra 06. november 2026
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 12,656Kr. 126,56

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
162-3302
Producentens varenummer:
IRF3710ZSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

59A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

IRF3710ZS

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

18mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

82nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

160W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65mm

Længde

10.67mm

Højde

4.83mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne HEXFET® Power MOSFET udnytter de nyeste behandlingsteknikker for at opnå ekstremt lav modstand ved tændt pr. siliciumareal. Yderligere funktioner for dette design er en 175 °C junction-driftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret mærkeværdi for Repetitive Avalanche. Disse funktioner kombineres for at gøre dette design til en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en bred vifte af anvendelser.

Avanceret procesteknologi

Ekstremt lav modstand ved tændt

Dynamisk dv/dt-område

175 °C driftstemperatur

Hurtigt skift

Repetitive Avalanche tilladt op til Tjmax

Blyfri

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.