Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 258-3802
- Producentens varenummer:
- IPB180N10S403ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 14.577,00
(ekskl. moms)
Kr. 18.221,00
(inkl. moms)
Tilføj 1000 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 14,577 | Kr. 14.577,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3802
- Producentens varenummer:
- IPB180N10S403ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 108nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 108nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2 effekttransistor er N-kanals forbedringstilstand for normalt niveau. Den har en driftstemperatur på 175 °C.
AEC-kvalificeret
MSL1 op til 260 °C spidsreflow
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 120 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101