Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Forbedring, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 260-5119
- Producentens varenummer:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Brand:
- Infineon
Indhold (1000 enheder, på en rulle med 1000)*
Kr. 13.782,00
(ekskl. moms)
Kr. 17.228,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 13,782 | Kr. 13.782,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5119
- Producentens varenummer:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon N-kanals optiMOS-effekt-MOSFET'er giver fremragende gate-opladning. Den har den højeste strømkapacitet. Denne N-kanals MOSFET-transistor fungerer i forbedringstilstand.
N-kanals forbedringstilstand
MSL1 op til 260 °C spidsreflow
100 % lavendeltestet