Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej

RS-varenummer:: 165-5658
Producentens varenummer:: IRF640NSTRLPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 4.247,20

(ekskl. moms)

Kr. 5.308,80

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
800 - 800	Kr. 5,309	Kr. 4.247,20
1600 - 1600	Kr. 5,043	Kr. 4.034,40
2400 +	Kr. 4,725	Kr. 3.780,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5658
Producentens varenummer:: IRF640NSTRLPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	18A
	Drain source spænding maks. Vds	200V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	150mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	150W
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	67nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	4.83mm
	Længde	10.67mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	9.65 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A
	Drain source spænding maks. Vds 200V
	Serie HEXFET
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 150mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 150W
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 4.83mm
	Længde 10.67mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 9.65 mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 18A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 150W maksimal effektafledning - IRF640NSTRLPBF

Denne MOSFET er afgørende for effektiv strømstyring på tværs af forskellige applikationer og styrer den elektriske strøm i kredsløb for at sikre ydeevne og pålidelighed. Dens robuste specifikationer gør den særligt velegnet til automatisering og elektroniske systemer i moderne elektronik.

Egenskaber og fordele

• N-kanal-konfiguration understøtter drift i enhancement mode

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 18A

• Maksimal drain-source-spænding på 200 V til forskellige anvendelser

• D2PAK-pakke designet til overflademontering

• Lav Rds(on) på 150mΩ reducerer energitab under drift

• Høj maksimal driftstemperatur på +175 °C til forskellige miljøer

Anvendelsesområder

• Strømstyring i bilens elektronik

• Industrielle strømforsyninger til automatiseringssystemer

• Motorstyring på tværs af forskellige sektorer

• Vedvarende energisystemer til energiomdannelse

• Design af højfrekvente invertere

Hvad er den maksimale drain-source-spænding?

Den maksimale drain-source-spænding er 200 V, hvilket giver fleksibilitet til højspændingsapplikationer.

Hvordan styres varmeafledningen under drift?

Denne MOSFET har en effektafledningsevne på 150 W, og dens pakkedesign fremmer effektiv varmestyring under høje belastninger.

Hvad er konsekvenserne af gate-tærskelspændingsområdet?

Med en maksimal gate-tærskelspænding på 4V og et minimum på 2V giver den ingeniører et alsidigt udvalg til switching-applikationer.

Kan denne komponent bruges i parallelle konfigurationer?

Ja, den kan nemt parallelkobles på grund af sin lave on-modstand, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj strøm.

Hvordan skal den loddes for at fungere optimalt?

Loddetemperaturen bør ikke overstige 300°C i 10 sekunder for at sikre korrekt installation uden at beskadige MOSFET'en.