Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 135 mA 350 V Udtømning, 3 Ben, SOT-23, DN3135 Nej DN3135K1-G

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 66,275

(ekskl. moms)

Kr. 82,85

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 10.650 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 2,651Kr. 66,28

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
165-6450
Producentens varenummer:
DN3135K1-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

135mA

Drain source spænding maks. Vds

350V

Emballagetype

SOT-23

Serie

DN3135

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

35Ω

Kanalform

Udtømning

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.3W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

Lead (Pb)-free/RoHS

Højde

1.02mm

Længde

3.04mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

DN3135 er en transistor med lav tærskelværdi og udtømningstilstand (normalt tændt), der anvender en avanceret lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne af bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikal DMOS FET'er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtigt skiftende hastigheder er ønsket.

Høj indgangsimpedans

Lav indgangskapacitet

Hurtig omkoblingshastighed

Lav modstand ved tændt

Fri for sekundære nedbrud

Lav indgangs- og udgangslækstrøm

Relaterede links