Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS P

RS-varenummer:: 165-6578
Producentens varenummer:: BSC060P03NS3EGATMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS P

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 15.235,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.045,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 08. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 3,047	Kr. 15.235,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-6578
Producentens varenummer:: BSC060P03NS3EGATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	100A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	OptiMOS P
	Emballagetype	TDSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	9.6mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	61nC
	Effektafsættelse maks. Pd	83W
	Gennemgangsspænding Vf	-1.1V
	Portkildespænding maks.	-25V, +25V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	6.35mm
	Bredde	5.35mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie OptiMOS P
	Emballagetype TDSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 9.6mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC
	Effektafsættelse maks. Pd 83W
	Gennemgangsspænding Vf -1.1V
	Portkildespænding maks. -25V, +25V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 6.35mm
	Bredde 5.35mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS P seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC060P03NS3EGATMA1

Denne MOSFET er en effekt-switching-transistor, der er designet til anvendelser med høj strøm og lav spænding i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og leverer en betydelig kontinuerlig strømkapacitet, samtidig med at den opretholder en kompakt pakke til kortdesign med lav profil.

Egenskaber og fordele:

• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør vedvarende højstrømsomskiftning
• 30 V drain-source-klassificering understøtter lavspændingstrin
• 9,6 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab og varmeudvikling
• 83 W maks. effekttab muliggør betydelig effekthåndtering
• 61 nC typisk gate-ladning giver mulighed for kontrolleret skiftedynamik
• 25 V gate-source-grænse sikrer portdrevhovedplads for robusthed

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformere i strømforsyninger
• Ideel til DC-motordrev, der kræver håndtering af høj strømstyrke
• Anvendes til belastningspunktregulatorer i server- og telekommunikationsudstyr
• Kan bruges til batteristyringssystemer i energilagring
• Velegnet til stærkstrømsbelastningskontakter på kompakte printkort

Hvilket termisk område kan den tolerere under drift?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med kraftige temperaturvariationer.

Hvilken pakke og monteringstype bruger den til printkortmontering?

Enheden leveres i en 8-benet TDSON-pakke, der er designet til overflademonteret placering og lavprofilsenheder.

Er kanaltypen og driftstilstanden velegnet til almindelige strømtopologier?

Den anvender en P-type kanal i forstærkning, der er velegnet til design, der kræver en P-kanalenhed med kontrollerede ledningsegenskaber.

Hvor kompakt er komponenten til trange kortlayouts?

Pakkehøjden er 1,1 mm, og bundarealet understøtter kompakt placering, samtidig med at den opretholder høj strømkapacitet.