Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 171-1961
- Producentens varenummer:
- BSC014N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 88,86
(ekskl. moms)
Kr. 111,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5.000 enhed(er) afsendes fra 20. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,886 | Kr. 88,86 |
| 50 - 90 | Kr. 7,188 | Kr. 71,88 |
| 100 - 240 | Kr. 6,739 | Kr. 67,39 |
| 250 - 490 | Kr. 6,298 | Kr. 62,98 |
| 500 + | Kr. 5,864 | Kr. 58,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-1961
- Producentens varenummer:
- BSC014N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | J-STD20 and JESD22 | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 5.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser J-STD20 and JESD22 | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 5.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon BSC014N04LS er optiMOS power-MOSFET med PG-TDSON-8-hus. Den har perfekt kontaktfunktion til hurtigt skiftende anvendelser.
Meget lav modstand i tændt tilstand RDS (ON)
100 % avalanche-testet
Fremragende termisk modstand
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 275 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 381 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS™
- Infineon Type N-Kanal 49 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
