Infineon N-Kanal, MOSFET, 275 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

RS-varenummer:: 214-8969
Producentens varenummer:: BSC010N04LSIATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 275 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Indhold (5000 enheder, på en rulle med 5000)*

Kr. 34.155,00

(ekskl. moms)

Kr. 42.695,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 12. marts 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 6,831	Kr. 34.155,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-8969
Producentens varenummer:: BSC010N04LSIATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	275A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.05mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	87nC
	Effektafsættelse maks. Pd	139W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	700mV
	Driftstemperatur maks.	+175°C
	Længde	5.35mm
	Højde	1.2mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 275A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype TDSON
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.05mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 87nC
	Effektafsættelse maks. Pd 139W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 700mV
	Driftstemperatur maks. +175°C
	Længde 5.35mm
	Højde 1.2mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSC010N04LSIATMA1

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 40 V drain source spænding, 275 A kontinuerlig drain strøm - BSC010N04LSIATMA1

Denne MOSFET er en koblingskomponent med høj strømstyrke, der er designet til krævende strømanvendelser. Den fungerer over et meget bredt omgivelsestemperaturområde og er beregnet til overflademonterede printkortimplementeringer i kompakte enheder. Enheden har en forstærkning tilstand N-kanal og understøtter gate-drivspændinger, der er egnede til robust omskiftningskontrol.

Egenskaber og fordele:

• Lav ledningsmodstand giver effektiv omskiftning ved høj strømstyrke
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm muliggør betydelig belastning
• 40 V drain‐source-klassificering muliggør brug af mellemspændingssystemer
• 139 W tab understøtter forhøjet effekthåndtering
• 87 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig koblingsenergi
• 20 V gate-source-tolerance giver stor plads til gate-drev

Anvendelser

• Velegnet til DC-motordrev med høj strømstyrke
• Anvendes til strømfordeling i batterisystemer
• Ideel til synkron ensretning i omformere
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømtrin
• Anvendes sammen med invertermoduler, der kræver robuste kontakter

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå i drift?

Den er normeret til kontinuerlig brug fra -55 °C op til +175 °C.

Hvilken pakke og monteringstype bruger den til printmontering?

Den leveres i en TDSON-pakke, der er beregnet til overflademontering.

Hvor mange elektriske forbindelser er tilgængelige til layout og routing?

Enheden bruger en 8-benet konfiguration til strøm- og gate-tilslutninger.

Hvilken gate-driveradfærd skal designere forvente under omskiftning?

Designere bør planlægge en typisk gate-ladning på 87 nC, når de beregner drevtab og skiftetider.

Hvilket fysisk fodaftryk skal tillades, når komponenten placeres?

Pakken er 5,35 mm lang, 6,1 mm bred og 1,2 mm høj.