Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 275 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS Nej BSC010N04LSIATMA1
- RS-varenummer:
- 214-8970
- Producentens varenummer:
- BSC010N04LSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 120,65
(ekskl. moms)
Kr. 150,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 24,13 | Kr. 120,65 |
| 25 - 45 | Kr. 20,734 | Kr. 103,67 |
| 50 - 120 | Kr. 19,314 | Kr. 96,57 |
| 125 - 245 | Kr. 18,102 | Kr. 90,51 |
| 250 + | Kr. 16,636 | Kr. 83,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-8970
- Producentens varenummer:
- BSC010N04LSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 275A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.05mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 87nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 139W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Længde | 5.35mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 275A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.05mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 87nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 139W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Længde 5.35mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon nye 40 V og 60 V produktserier har ikke kun branchens laveste R DS (til), men også en perfekt skifteadfærd til hurtige skifteopgaver. 15 % lavere R DS (on) og 31 % lavere antal fortjeneste (R DS (on) x Q g) sammenlignet med alternative enheder er blevet realiseret ved Advanced thin wafer-teknologi. OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende opgaver, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon produkter er designet til at opfylde og overgå kravene til energieffektivitet og effekttæthed.
Monolitisk integreret Schottky-lignende diode
Optimeret til synkron ensretning
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 275 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 275 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, OptiMOS-TM5 Nej ISC025N08NM5LF2ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej BSC014N04LSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej BSZ065N03LSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5 Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5 Nej