Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

RS-varenummer:: 178-7496
Producentens varenummer:: BSC011N03LSIATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 19.120,00

(ekskl. moms)

Kr. 23.900,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 12. november 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 3,824	Kr. 19.120,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-7496
Producentens varenummer:: BSC011N03LSIATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	100A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	OptiMOS
	Emballagetype	TDSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.4mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	96W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	34nC
	Gennemgangsspænding Vf	700mV
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.1mm
	Bredde	5.35mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie OptiMOS
	Emballagetype TDSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 96W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC
	Gennemgangsspænding Vf 700mV
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.1mm
	Bredde 5.35mm
	Bilindustristandarder Nej

BSC047N08NS3G

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC011N03LSIATMA1

Denne MOSFET er en effektomskiftertransistor, der er designet til anvendelser med høj strøm og lav spænding i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til brug, hvor der kræves effektiv ledning og hurtig portstyring. Enheden leveres i en otte-benet TDSON-pakke og er beregnet til at blive monteret direkte på printkortoverflader.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding på 1,4 mΩ reducerer ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 100 A understøtter tunge belastninger
• Lav fremadgående spænding Vf 0,7 V forbedrer effektiviteten under belastning
• Moderat gate-ladning 34 nC muliggør relativt hurtig omskiftning
• Maksimal drain-source-spænding 30 V muliggør lavspændingstrin
• Effekttab på 96 W understøtter høj termisk belastning

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformere i strømforsyninger
• Ideel til motordrevstrin, der kræver høj strøm
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb i systemer med høj afladning
• Kan bruges til DC/DC-omformere i telekommunikationsudstyr
• Anvendes til omskiftning af højstrømsbelastning på overflademonterede kort

Hvilke gate-spændingsgrænser skal jeg overholde for sikker drift?

Gate-til-kilde-mærkespændingen er begrænset til maks. 20 V, så gate-drev skal holdes inden for dette område for at forhindre dielektrisk eller gate-oxid-belastning.

Hvordan relaterer den termiske ydeevne til ekstreme omgivelser?

Enheden er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C forbindelsestemperatur, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor temperaturvariation, forudsat at der anvendes tilstrækkelig termisk styring.

Hvilke hensyn skal der tages til montering og fodaftryk?

Den leveres i en TDSON-pakke med otte ben til overflademontering

Sørg for, at PCB'ens termiske ledninger og kobberareal passer til 96 W-aflednings- og stærkstrømsveje.

Hvordan påvirker kanaltypen valg af kredsløbstopologi?

N-kanalforbedringstilstanden kræver, at porten drives positivt i forhold til kilden til ledning, hvilket gør den velegnet som en low-side-kontakt eller i synkrone arrangementer.