Infineon N-Kanal, MOSFET, 147 A 25 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 214-8971
- Producentens varenummer:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 19.575,00
(ekskl. moms)
Kr. 24.470,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5.000 enhed(er) afsendes fra 16. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 3,915 | Kr. 19.575,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-8971
- Producentens varenummer:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 147A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 650mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 5.49mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 147A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Gennemgangsspænding Vf 650mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 5.49mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 50 W maksimal effekttab, 25 V maksimal drain source-spænding - BSC015NE2LS5IATMA1
Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret effektkobling og belastningsstyring i krævende termiske miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er specifikeret til betydelig kontinuerlig afløbsstrøm og effekthåndtering, hvilket gør den velegnet til anvendelser, der kræver lave ledningstab og hurtig gate-drevet omskiftning.
Egenskaber og fordele:
• 1.5 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab ved høje strømme
• 147 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige belastningsstrømme
• 50 W effekttab muliggør vedvarende effekthåndtering
• 22 nC typisk gate-ladning giver mulighed for effektiv omskiftningskontrol
• 0,65 V fremadgående spænding minimerer spændingsfaldet under belastning
• 25 V drain‐source-klassificering passer til lavspændings-strømskinner
• 147 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige belastningsstrømme
• 50 W effekttab muliggør vedvarende effekthåndtering
• 22 nC typisk gate-ladning giver mulighed for effektiv omskiftningskontrol
• 0,65 V fremadgående spænding minimerer spændingsfaldet under belastning
• 25 V drain‐source-klassificering passer til lavspændings-strømskinner
Anvendelser
• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke
• Ideel til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes til motordrevstrin i kraftelektronik
• Kan bruges til batteribeskyttelse og -fordeling
• Velegnet til strømswitching i kompakte SMD-enheder
• Ideel til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes til motordrevstrin i kraftelektronik
• Kan bruges til batteribeskyttelse og -fordeling
• Velegnet til strømswitching i kompakte SMD-enheder
Hvilken pakke og monteringstype bruger den?
Den leveres i en 8-benet TDSON-pakke, der er beregnet til overflademontering.
Hvilke spændingsgrænser skal overholdes under kredsløbsdesign?
Den maksimale drain-source-spænding er 25 V, og den maksimale gate-source-spænding er 16 V.
Hvordan fungerer den ved ekstreme temperaturer?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C for et udvidet termisk område.
Hvilken kanaltype og -tilstand implementeres?
Enheden er en N-kanals forstærkningstilstand MOSFET.
Hvilke fysiske begrænsninger er relevante for printkortlayout?
Pakken måler ca. 5,49 mm x 6,35 mm med en højde på 1,1 mm.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 147 A 25 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 46 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 57 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 275 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS