Infineon N-Kanal, MOSFET, 147 A 25 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (15 enheder, i en pakke med 15)*

Kr. 149,30

(ekskl. moms)

Kr. 186,62

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 4.995 enhed(er) afsendes fra 16. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 9,953Kr. 149,30
75 - 135Kr. 9,45Kr. 141,75
150 - 360Kr. 9,056Kr. 135,84
375 - 735Kr. 8,652Kr. 129,78
750 +Kr. 8,053Kr. 120,80

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-8972
Producentens varenummer:
BSC015NE2LS5IATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

147A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

650mV

Portkildespænding maks.

16V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.35mm

Længde

5.49mm

Højde

1.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 50 W maksimal effekttab, 25 V maksimal drain source-spænding - BSC015NE2LS5IATMA1


Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret effektkobling og belastningsstyring i krævende termiske miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er specifikeret til betydelig kontinuerlig afløbsstrøm og effekthåndtering, hvilket gør den velegnet til anvendelser, der kræver lave ledningstab og hurtig gate-drevet omskiftning.

Egenskaber og fordele:


• 1.5 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab ved høje strømme
• 147 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige belastningsstrømme
• 50 W effekttab muliggør vedvarende effekthåndtering
• 22 nC typisk gate-ladning giver mulighed for effektiv omskiftningskontrol
• 0,65 V fremadgående spænding minimerer spændingsfaldet under belastning
• 25 V drain‐source-klassificering passer til lavspændings-strømskinner

Anvendelser


• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke
• Ideel til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes til motordrevstrin i kraftelektronik
• Kan bruges til batteribeskyttelse og -fordeling
• Velegnet til strømswitching i kompakte SMD-enheder

Hvilken pakke og monteringstype bruger den?


Den leveres i en 8-benet TDSON-pakke, der er beregnet til overflademontering.

Hvilke spændingsgrænser skal overholdes under kredsløbsdesign?


Den maksimale drain-source-spænding er 25 V, og den maksimale gate-source-spænding er 16 V.

Hvordan fungerer den ved ekstreme temperaturer?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C for et udvidet termisk område.

Hvilken kanaltype og -tilstand implementeres?


Enheden er en N-kanals forstærkningstilstand MOSFET.

Hvilke fysiske begrænsninger er relevante for printkortlayout?


Pakken måler ca. 5,49 mm x 6,35 mm med en højde på 1,1 mm.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.