Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 57 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS Nej BSC052N03LSATMA1
- RS-varenummer:
- 827-5344
- Producentens varenummer:
- BSC052N03LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 97,55
(ekskl. moms)
Kr. 121,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.100 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 3,902 | Kr. 97,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-5344
- Producentens varenummer:
- BSC052N03LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 57A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 28W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.35 mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Distrelec Product Id | 304-44-408 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 28W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.35 mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Distrelec Product Id 304-44-408 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS™ mosfet serien
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
N-kanal - forbedringstilstand
Automotiv AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grøn pakke (blyfri)
Ultra lav Rds(til)
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 57 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej BSC011N03LSIATMA1
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej BSZ065N03LSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej BSC011N03LSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5 Nej