Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 133-9901
- Producentens varenummer:
- BSC020N03LSGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 51,16
(ekskl. moms)
Kr. 63,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,232 | Kr. 51,16 |
| 50 - 120 | Kr. 9,126 | Kr. 45,63 |
| 125 - 245 | Kr. 8,588 | Kr. 42,94 |
| 250 - 495 | Kr. 7,974 | Kr. 39,87 |
| 500 + | Kr. 7,376 | Kr. 36,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-9901
- Producentens varenummer:
- BSC020N03LSGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, op til 40 V
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
Hurtigt skiftende MOSFET til SMPS
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
N-kanal, logikniveau
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R DS(on)
Blyfri belægning
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 57 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 13 A 34 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring TDSON, OptiMOS