Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

RS-varenummer:: 178-7481
Producentens varenummer:: BSC011N03LSATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 21.700,00

(ekskl. moms)

Kr. 27.100,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 4,34	Kr. 21.700,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-7481
Producentens varenummer:: BSC011N03LSATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	100A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	OptiMOS
	Emballagetype	TDSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.4mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	96W
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	36nC
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.1mm
	Bredde	5.35mm
	Længde	6.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie OptiMOS
	Emballagetype TDSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 96W
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.1mm
	Bredde 5.35mm
	Længde 6.1mm
	Bilindustristandarder Nej

BSC030P03NS3G

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC011N03LSATMA1

Denne MOSFET er en effektafbryderenhed, der er designet til anvendelser med høj strøm og lav spænding i overflademonterede enheder. Den fungerer over et udvidet omgivende område og er beregnet til krævende termiske og elektriske miljøer, hvor effektiv ledning og hurtig omskiftning er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding på 1,4 mΩ reducerer ledningstab
• Høj kontinuerlig aftapningsevne 100 A håndterer tunge belastninger
• Spidseffekttab på 96 W understøtter forøget effektoverførsel
• Lav fremadgående spænding 1 V forbedrer konverteringseffektiviteten
• Typisk gate-opladning på 36 nC muliggør hurtige gate-overgange
• Nominel porttolerance på 20 V beskytter mod portoverspænding

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformere i servere
• Ideel til stærkt strømførende motordrevstrin
• Anvendes sammen med strømfordelingsmoduler i telekommunikationsstationer
• Kan bruges til DC/DC-strømkonvertering i invertere
• Velegnet til batteristyring og opladningssystemer

Hvilke termiske grænser skal designere tillade ved vedvarende drift?

Enheden er specificeret til drift mellem -55 °C og 150 °C, så termisk styring bør sikre, at forbindelsestemperaturer forbliver inden for dette område under forventet tab.

Hvordan påvirker gate-opladningen drevkravene?

Med en typisk gate-ladning på 36 nC skal gate-drivere levere tilstrækkelig opladning hurtigt for at opnå de ønskede skiftehastigheder og samtidig minimere overgangstab.

Hvilke monteringshensyn er nødvendige for pålidelig ydeevne?

Komponenten leveres i en 8-benet TDSON-pakke til overflademontering, der måler 6,1 x 5,35 mm, så printkortjordmønster og loddefileter skal rumme termisk ledning og mekanisk stabilitet.

Hvilke elektriske mærkeværdier dikterer den maksimale skiftespænding og strøm?

Enheden har en maksimal drain-source-spænding på 30 V og en kontinuerlig mærkestrøm på 100 A

skal koblingstopologier forblive inden for disse elektriske grænser.