Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5 Nej
- RS-varenummer:
- 273-2626
- Producentens varenummer:
- BSC010N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 27,08
(ekskl. moms)
Kr. 33,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 70 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 13,54 | Kr. 27,08 |
| 50 - 498 | Kr. 11,255 | Kr. 22,51 |
| 500 - 998 | Kr. 7,555 | Kr. 15,11 |
| 1000 - 2498 | Kr. 6,245 | Kr. 12,49 |
| 2500 + | Kr. 6,135 | Kr. 12,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2626
- Producentens varenummer:
- BSC010N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 95nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 139W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.35 mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 95nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 139W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.35 mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET er en N-kanal 40 V effekt MOSFET. Denne MOSFET er optimeret til synkron ensretning, og den har højere pålidelighed ved loddeled på grund af forstørret kildeforbindelse. Den er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målapplikationer.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
Meget lav modstand ved tænding
Fremragende termisk modstandsdygtighed
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 281 A 40 V TDSON, OptiMOS™ BSC010N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V TDSON, OptiMOS™ 5 BSC010N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 134 A 60 V TDSON, OptiMOS™ BSC027N06LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 433 A 30 V TDSON, OptiMOS™ BSC005N03LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 57 A 30 V TDSON, OptiMOS™ BSC052N03LSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V TDSON, OptiMOS™ BSC011N03LSATMA1
- Infineon N-Kanal 155 A 40 V OptiMOS™ BSC019N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V TSDSON, OptiMOS™ BSZ0904NSIATMA1
