Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5

RS-varenummer:: 178-7497
Producentens varenummer:: BSZ042N06NSATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5

Indhold (5000 enheder, på en rulle med 5000)*

Kr. 18.675,00

(ekskl. moms)

Kr. 23.345,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 08. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 3,735	Kr. 18.675,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-7497
Producentens varenummer:: BSZ042N06NSATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	40A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	OptiMOS 5
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	6.3mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	27nC
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd	69W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	3.4mm
	Længde	3.4mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype TDSON
	Serie OptiMOS 5
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 6.3mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd 69W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 3.4mm
	Længde 3.4mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 60 V drain source-spænding, 40 A kontinuerlig drain-strøm - BSZ042N06NSATMA1

Denne MOSFET er en silicium N-kanal-forbedringsenhed, der er beregnet til højtydende omskiftning i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er designet til at håndtere betydelige strømme og spændinger, der er typiske for strømkonvertering og skiftefaser. Komponenten leveres i en lavprofil TDSON-pakke, der er velegnet til kompakte enheder, hvor der kræves termisk og elektrisk ydeevne.

Egenskaber og fordele:

• 60 V drain-klassificering muliggør robust midspændingsswitching
• 40 A kontinuerlig strømkapacitet understøtter kredsløb med høj belastning
• 6.3 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 27 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange
• 69 W effekttab muliggør vedvarende effekthåndtering

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-konvertertrin
• Ideel til halvbroenheder med motordrev
• Anvendes sammen med DC-DC-strømmoduler i serverforsyninger
• Kan bruges til batteristyring og opladningskredsløb

Hvilke hensyn til gate-driver skal jeg tage hensyn til?

Den typiske gate-ladning på 27 nC ved den specificerede gate-spænding kræver en driver, der er i stand til at forsyne og sænke tilstrækkelig spidsstrøm for at opnå den krævede skiftehastighed uden overdrevne overgangstab.

Hvordan påvirker pakken den termiske ydeevne?

TDSON 8-benet layout giver en lav termisk modstandsvej til printkortet, hvilket muliggør effektiv varmeoverførsel, når den bruges sammen med passende kobberområde og termiske kanaler for øget effekttab.

Hvilket temperaturområde kan den tolerere under drift?

Den er klassificeret til at fungere over et bredt driftstemperaturområde fra dyb kulde til høje temperaturer, hvilket passer til design, der er udsat for ekstreme forhold.

Hvordan påvirkes koblingsadfærden af enhedens egenskaber?

Kombinationen af lav modstand ved tænding og moderat gate-ladning balancerer lave ledningstab med kontrollerbare skifteovergange, hvilket gør den velegnet til effektivitetsfokuserede effekttrin.