Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 137 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS Nej BSC028N06NSTATMA1
- RS-varenummer:
- 220-7352
- Producentens varenummer:
- BSC028N06NSTATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 91,56
(ekskl. moms)
Kr. 114,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.925 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 18,312 | Kr. 91,56 |
| 50 - 120 | Kr. 15,918 | Kr. 79,59 |
| 125 - 245 | Kr. 14,826 | Kr. 74,13 |
| 250 - 495 | Kr. 13,912 | Kr. 69,56 |
| 500 + | Kr. 12,82 | Kr. 64,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7352
- Producentens varenummer:
- BSC028N06NSTATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 137A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 137A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.35mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 Power MOSFET i SuperSO8-hus tilbyder den nyeste teknologi sammen med temperaturforbedringer i pakken. Denne nye kombination muliggør højere effekttæthed og forbedret robusthed. Sammenlignet med enheder med lavere mærkeværdier giver 175 °C TJ_MAX-funktionen enten mere effekt ved en højere ledningstemperatur eller længere levetid ved samme ledningstemperatur. Desuden opnås 20 % forbedring af det sikre driftsområde (SOA). Denne nye pakkefunktion passer perfekt til f.eks. telekommunikation, motordrev og server.
Lav RDS(on)
Optimeret til synkron ensretning
Forbedret 175 °C kapacitet i SuperSO8
Længere levetid
Højeste effektivitet og effekttæthed
Højeste systempålidelighed
Termisk robusthed
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 137 A. 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC028N06NSTATMA1
- Infineon N-Kanal 137 A 60 V TDSON, OptiMOS™ 5 BSC028N06NSATMA1
- Infineon N-Kanal 194 A. 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC027N10NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 234 A. 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC016N06NSTATMA1
- Infineon N-Kanal 288 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ ISC011N06LM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 64 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC065N06LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 47 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC094N06LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IPG20N10S4L35AATMA1
