Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 205 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 220-7350
- Producentens varenummer:
- BSC014N04LSTATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 67,77
(ekskl. moms)
Kr. 84,71
(inkl. moms)
Tilføj 40 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 4.455 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,554 | Kr. 67,77 |
| 50 - 120 | Kr. 11,234 | Kr. 56,17 |
| 125 - 245 | Kr. 10,592 | Kr. 52,96 |
| 250 - 495 | Kr. 9,768 | Kr. 48,84 |
| 500 + | Kr. 9,066 | Kr. 45,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7350
- Producentens varenummer:
- BSC014N04LSTATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 205A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 115W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 205A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 115W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.35mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 Power MOSFET i SuperSO8-hus tilbyder den nyeste teknologi sammen med temperaturforbedringer i pakken. Denne nye kombination muliggør højere effekttæthed og forbedret robusthed. Sammenlignet med enheder med lavere mærkeværdier giver 175 °C TJ_MAX-funktionen enten mere effekt ved en højere ledningstemperatur eller længere levetid ved samme ledningstemperatur. Desuden opnås 20 % forbedring af det sikre driftsområde (SOA). Denne nye pakkefunktion passer perfekt til f.eks. telekommunikation, motordrev og server.
Lav RDS(on)
Optimeret til synkron ensretning
Forbedret 175 °C kapacitet i SuperSO8
Længere levetid
Højeste effektivitet og effekttæthed
Højeste systempålidelighed
Termisk robusthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 205 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 137 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 16 A 300 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 82 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 275 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS