Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 16 A 300 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS Nej
- RS-varenummer:
- 220-7356
- Producentens varenummer:
- BSC13DN30NSFDATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 56.395,00
(ekskl. moms)
Kr. 70.495,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 11,279 | Kr. 56.395,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7356
- Producentens varenummer:
- BSC13DN30NSFDATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 300V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 300V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Længde 5.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS fast diode (FD) 200 V, 250 V og 300 V er optimeret til hård kommutation af husdioden. Disse enheder er det perfekte valg til anvendelser med hårde omskiftning, f.eks. telekommunikation, industrielle strømforsyninger, klasse D-lydforstærkere, motorstyring og DC-AC-inverter.
Forbedret robusthed ved hård kommutation
Optimeret funktion for hårdt skift
Branchens laveste R ds(ON), Q g og Q rr
Overholder RoHS - halogenfri
Højeste systempålidelighed
Systemomkostningsbesparelse
Højeste effektivitet og effekttæthed
Produkter der er lette at designe
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 16 A 300 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC13DN30NSFDATMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IPG20N10S4L35AATMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IPG20N10S4L35ATMA1
- Infineon N-Kanal 137 A. 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC028N06NSTATMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IPG20N04S4L07AATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S5L1R1ATMA1
- Infineon N-Kanal 82 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 3 BSC061N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC90N04S53R6ATMA1
