Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 137 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 34.100,00

(ekskl. moms)

Kr. 42.600,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 6,82Kr. 34.100,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
220-7351
Producentens varenummer:
BSC028N06NSTATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET og Diode

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

137A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.35mm

Højde

1.2mm

Bredde

6.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 Power MOSFET i SuperSO8-hus tilbyder den nyeste teknologi sammen med temperaturforbedringer i pakken. Denne nye kombination muliggør højere effekttæthed og forbedret robusthed. Sammenlignet med enheder med lavere mærkeværdier giver 175 °C TJ_MAX-funktionen enten mere effekt ved en højere ledningstemperatur eller længere levetid ved samme ledningstemperatur. Desuden opnås 20 % forbedring af det sikre driftsområde (SOA). Denne nye pakkefunktion passer perfekt til f.eks. telekommunikation, motordrev og server.

Lav RDS(on)

Optimeret til synkron ensretning

Forbedret 175 °C kapacitet i SuperSO8

Længere levetid

Højeste effektivitet og effekttæthed

Højeste systempålidelighed

Termisk robusthed

Relaterede links