Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (10 enheder, i en pakke med 10)*

Kr. 83,85

(ekskl. moms)

Kr. 104,81

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 8,385Kr. 83,85
100 - 490Kr. 6,762Kr. 67,62
500 - 990Kr. 5,266Kr. 52,66
1000 - 2490Kr. 4,458Kr. 44,58
2500 +Kr. 4,346Kr. 43,46

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-4390
Producentens varenummer:
BSZ042N06NSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS 5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

69W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

27nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.4mm

Højde

1.1mm

Bredde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 60 V drain source-spænding, 40 A kontinuerlig drain-strøm - BSZ042N06NSATMA1


Denne MOSFET er en silicium N-kanal-forbedringsenhed, der er beregnet til højtydende omskiftning i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er designet til at håndtere betydelige strømme og spændinger, der er typiske for strømkonvertering og skiftefaser. Komponenten leveres i en lavprofil TDSON-pakke, der er velegnet til kompakte enheder, hvor der kræves termisk og elektrisk ydeevne.

Egenskaber og fordele:


• 60 V drain-klassificering muliggør robust midspændingsswitching
• 40 A kontinuerlig strømkapacitet understøtter kredsløb med høj belastning
• 6.3 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 27 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange
• 69 W effekttab muliggør vedvarende effekthåndtering

Anvendelser


• Velegnet til synkrone buck-konvertertrin
• Ideel til halvbroenheder med motordrev
• Anvendes sammen med DC-DC-strømmoduler i serverforsyninger
• Kan bruges til batteristyring og opladningskredsløb

Hvilke hensyn til gate-driver skal jeg tage hensyn til?


Den typiske gate-ladning på 27 nC ved den specificerede gate-spænding kræver en driver, der er i stand til at forsyne og sænke tilstrækkelig spidsstrøm for at opnå den krævede skiftehastighed uden overdrevne overgangstab.

Hvordan påvirker pakken den termiske ydeevne?


TDSON 8-benet layout giver en lav termisk modstandsvej til printkortet, hvilket muliggør effektiv varmeoverførsel, når den bruges sammen med passende kobberområde og termiske kanaler for øget effekttab.

Hvilket temperaturområde kan den tolerere under drift?


Den er klassificeret til at fungere over et bredt driftstemperaturområde fra dyb kulde til høje temperaturer, hvilket passer til design, der er udsat for ekstreme forhold.

Hvordan påvirkes koblingsadfærden af enhedens egenskaber?


Kombinationen af lav modstand ved tænding og moderat gate-ladning balancerer lave ledningstab med kontrollerbare skifteovergange, hvilket gør den velegnet til effektivitetsfokuserede effekttrin.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.