Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5 Nej BSZ042N06NSATMA1
- RS-varenummer:
- 906-4390
- Producentens varenummer:
- BSZ042N06NSATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 94,76
(ekskl. moms)
Kr. 118,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.190 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 9,476 | Kr. 94,76 |
| 100 - 490 | Kr. 7,66 | Kr. 76,60 |
| 500 - 990 | Kr. 5,954 | Kr. 59,54 |
| 1000 - 2490 | Kr. 5,042 | Kr. 50,42 |
| 2500 + | Kr. 4,907 | Kr. 49,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 906-4390
- Producentens varenummer:
- BSZ042N06NSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.4mm | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 40 A 60 V TDSON, OptiMOS™ 5 BSZ042N06NSATMA1
- Infineon TDSON-8, OptiMOS™ BSC014N06NSTATMA1
- Infineon N-Kanal 134 A 60 V TDSON, OptiMOS™ BSC027N06LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 60 V TDSON, OptiMOS™ IPG20N06S4L26AATMA1
- Infineon N-Kanal 46 A 60 V TDSON, OptiMOS™ BSC097N06NSATMA1
- Infineon N-Kanal 155 A 40 V OptiMOS™ BSC019N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V TDSON, OptiMOS™ BSC014N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 281 A 40 V TDSON, OptiMOS™ BSC010N04LSATMA1
