Vishay N-Kanal, MOSFET, 30 A 500 V, 3 ben, TO-247AC SIHG32N50D-GE3

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

30 A

Drain source spænding maks.

500 V

Kapslingstype

TO-247AC

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

150 mΩ

Kanalform

Enhancement

Mindste tærskelspænding for port

3V

Effektafsættelse maks.

390 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

5.31mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Transistormateriale

Si

Gate-ladning ved Vgs typisk

64 nC ved 10 V

Længde

15.87mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

20.82mm