onsemi N-Kanal, MOSFET, 1,4 A 30 V, 3 ben, SOT-23, PowerTrench FDN361BN
- RS-varenummer:
- 166-1642
- Producentens varenummer:
- FDN361BN
- Brand:
- onsemi
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 166-1642
- Producentens varenummer:
- FDN361BN
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 1,4 A | |
| Drain source spænding maks. | 30 V | |
| Kapslingstype | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 160 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Mindste tærskelspænding for port | 1V | |
| Effektafsættelse maks. | 460 mW | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Transistormateriale | Si | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 1,3 nC ved 4,5 V | |
| Bredde | 2.92mm | |
| Længde | 1.4mm | |
| Højde | 0.94mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 1,4 A | ||
Drain source spænding maks. 30 V | ||
Kapslingstype SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 160 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Mindste tærskelspænding for port 1V | ||
Effektafsættelse maks. 460 mW | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Transistormateriale Si | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 1,3 nC ved 4,5 V | ||
Bredde 2.92mm | ||
Længde 1.4mm | ||
Højde 0.94mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, op til 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 1 3 ben PowerTrench FDN361BN
- onsemi Type N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 170 mA 100 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 3 A 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 900 mA 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 6.1 A 30 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 1.6 A 150 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
