onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 166-2044
- Producentens varenummer:
- FDD6685
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 9.245,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.555,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 16. november 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,698 | Kr. 9.245,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-2044
- Producentens varenummer:
- FDD6685
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.
De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.
Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type P-Kanal 11 A 30 V Forbedring TO-252, PowerTrench AEC-Q101
- onsemi Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 6.7 A 40 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 8.4 A 40 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 6.7 A 12 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 55 A 35 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 11 A 20 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 11 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench