onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 34,71

(ekskl. moms)

Kr. 43,39

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Manglende forsyning
  • 5 tilbage, klar til afsendelse
  • Plus 35 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 895 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 6,942Kr. 34,71
50 - 95Kr. 5,998Kr. 29,99
100 - 495Kr. 5,192Kr. 25,96
500 - 995Kr. 4,562Kr. 22,81
1000 +Kr. 4,144Kr. 20,72

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
671-0598
Producentens varenummer:
FDS6675BZ
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

PowerTrench

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

13mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

44nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.