onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 8.8 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 166-3246
- Producentens varenummer:
- SI4435DY
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 5.215,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.520,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 2,086 | Kr. 5.215,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-3246
- Producentens varenummer:
- SI4435DY
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Loddetin | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.57mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Loddetin | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.57mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.
De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.
Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type P-Kanal 8.8 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 8.8 A 30 V Forbedring SOIC, FDS
- onsemi Type P-Kanal 5.3 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 8 A 20 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 13 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 8.2 A 40 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 20 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 10 A 20 V Forbedring SOIC, PowerTrench