onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 8.8 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench Nej SI4435DY

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 64,18

(ekskl. moms)

Kr. 80,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Plus 20 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
  • Sidste 3.980 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 6,418Kr. 64,18

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
903-4412
Producentens varenummer:
SI4435DY
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.8A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Loddetin

Benantal

8

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1.57mm

Bredde

3.9 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

4.9mm

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links