onsemi 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.7 A 20 V Forbedring, 6 Ben, MLP, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 166-2660
- Producentens varenummer:
- FDMA1032CZ
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 4.908,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.135,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,636 | Kr. 4.908,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-2660
- Producentens varenummer:
- FDMA1032CZ
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | MLP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.4W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 2mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype MLP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.4W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 2mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® Dual N/P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.
De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i den tidligere generation.
Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi 2 Type P MOSFET 6 Ben PowerTrench
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 3.7 A 20 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 8 A 12 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 9.4 A 20 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 10 A 12 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 2.9 A 30 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 9.5 A 20 V Forbedring MLP, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 22 A 60 V Forbedring MLP, PowerTrench