onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 180 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, NDS0605 Nej

RS-varenummer:: 166-2668
Producentens varenummer:: NDS0605
Brand:: onsemi

onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 180 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, NDS0605 Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.374,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.716,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Manglende forsyning

12.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,458	Kr. 1.374,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 166-2668
Producentens varenummer:: NDS0605
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	180mA
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	NDS0605
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	5Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	1.8nC
	Effektafsættelse maks. Pd	360mW
	Portkildespænding maks.	20 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	-1.5V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	2.92mm
	Højde	0.93mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.3 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180mA
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie NDS0605
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 5Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.8nC
	Effektafsættelse maks. Pd 360mW
	Portkildespænding maks. 20 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf -1.5V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 2.92mm
	Højde 0.93mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.3 mm
	Bilindustristandarder Nej

Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal

• tætpakket celledesign

• høj mætningsstrøm

• overlegent skift

• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne

• DMOS-teknologi

Anvendelsesområder:

• Belastningsskift

• DC/DC-omformer

• Batteribeskyttelse

• Strømstyring

• styring af DC-motor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.