onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 120 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, NDS0605 Nej NDS0610

RS-varenummer:: 671-1074
Producentens varenummer:: NDS0610
Brand:: onsemi

onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 120 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, NDS0605 Nej NDS0610

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 32,02

(ekskl. moms)

Kr. 40,02

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

1.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 31.660 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 1,601	Kr. 32,02

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 671-1074
Producentens varenummer:: NDS0610
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	120mA
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	NDS0605
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	10Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	1.8nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	360mW
	Gennemgangsspænding Vf	-1.5V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	2.92mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.3 mm
	Højde	0.93mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120mA
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie NDS0605
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 10Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.8nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 360mW
	Gennemgangsspænding Vf -1.5V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 2.92mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.3 mm
	Højde 0.93mm
	Bilindustristandarder Nej

Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal

• tætpakket celledesign

• høj mætningsstrøm

• overlegent skift

• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne

• DMOS-teknologi

Anvendelsesområder:

• Belastningsskift

• DC/DC-omformer

• Batteribeskyttelse

• Strømstyring

• styring af DC-motor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.