onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, NDS352AP Nej

RS-varenummer:: 178-7591
Producentens varenummer:: NDS352AP
Brand:: onsemi

onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, NDS352AP Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.619,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.273,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,873	Kr. 2.619,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-7591
Producentens varenummer:: NDS352AP
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	900mA
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	NDS352AP
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	500mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	2nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	500mW
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	1.4 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	0.94mm
	Længde	2.92mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 900mA
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SOT-23
	Serie NDS352AP
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 500mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 500mW
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 1.4 mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 0.94mm
	Længde 2.92mm
	Bilindustristandarder Nej

Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3- SuperSOT

Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal

• tætpakket celledesign

• høj mætningsstrøm

• overlegent skift

• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne

• DMOS-teknologi

Anvendelsesområder:

• Belastningsskift

• DC/DC-omformer

• Batteribeskyttelse

• Strømstyring

• styring af DC-motor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.