onsemi P-Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V, 3 ben, SOT-23, NDS352AP NDS352AP

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal
• tætpakket celledesign
• høj mætningsstrøm
• overlegent skift
• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne
• DMOS-teknologi

• Belastningsskift
• DC/DC-omformer
• Batteribeskyttelse
• Strømstyring
• styring af DC-motor

on Semiconductor NDS352AP er P-kanal logikniveau forbedringstilstand effekt felt effekt transistorer produceres ved hjælp af høj celletæthed, DMOS teknologi. Denne proces med meget høj tæthed er specielt skræddersyet til at minimere modstand i modtilstand.

Fremragende modstandsdygtighed over for og maksimal DC-strøm
SOT-23 overflademonteret hus i industristandard

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.