onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, NDS352AP Nej NDS352AP

RS-varenummer:: 671-1084
Producentens varenummer:: NDS352AP
Brand:: onsemi

onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, NDS352AP Nej NDS352AP

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 21,06

(ekskl. moms)

Kr. 26,32

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 3.560 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 - 90	Kr. 2,106	Kr. 21,06
100 - 240	Kr. 1,819	Kr. 18,19
250 - 490	Kr. 1,573	Kr. 15,73
500 - 990	Kr. 1,376	Kr. 13,76
1000 +	Kr. 1,257	Kr. 12,57

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 671-1084
Producentens varenummer:: NDS352AP
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	900mA
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	NDS352AP
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	500mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	500mW
	Portkildespænding maks.	20 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	2nC
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	2.92mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	0.94mm
	Bredde	1.4 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 900mA
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SOT-23
	Serie NDS352AP
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 500mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 500mW
	Portkildespænding maks. 20 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2nC
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 2.92mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 0.94mm
	Bredde 1.4 mm
	Bilindustristandarder Nej

Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal

• tætpakket celledesign

• høj mætningsstrøm

• overlegent skift

• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne

• DMOS-teknologi

Anvendelsesområder:

• Belastningsskift

• DC/DC-omformer

• Batteribeskyttelse

• Strømstyring

• styring af DC-motor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.