onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 Nej NTR4502PT1G
- RS-varenummer:
- 773-7897
- Producentens varenummer:
- NTR4502PT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 14,81
(ekskl. moms)
Kr. 18,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.820 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 1,481 | Kr. 14,81 |
| 100 - 240 | Kr. 1,272 | Kr. 12,72 |
| 250 - 490 | Kr. 1,107 | Kr. 11,07 |
| 500 - 990 | Kr. 0,972 | Kr. 9,72 |
| 1000 + | Kr. 0,89 | Kr. 8,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 773-7897
- Producentens varenummer:
- NTR4502PT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 350mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 350mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal Power MOSFET, 30 V til 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type P-Kanal 1.9 A 30 V Forbedring SOT-23 Nej
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 1.9 A 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench Nej
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 1.9 A 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench Nej FDC6306P
- onsemi Type N-Kanal 1.9 A 30 V Forbedring SOT-23, FDN357N Nej
- onsemi Type N-Kanal 1.9 A 30 V Forbedring SOT-23, FDN357N Nej FDN357N
- onsemi Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SOT-23 Nej
- onsemi Type P-Kanal 900 mA 30 V Forbedring SOT-23, NDS352AP Nej
- onsemi Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SOT-23 Nej NTR4171PT1G
