Texas Instruments Type N-Kanal, MOSFET, 3.1 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PICOSTAR, FemtoFET Nej CSD17381F4T
- RS-varenummer:
- 168-4358
- Producentens varenummer:
- CSD17381F4T
- Brand:
- Texas Instruments
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 250 enheder)*
Kr. 1.039,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.299,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | Kr. 4,158 | Kr. 1.039,50 |
| 500 - 1000 | Kr. 3,742 | Kr. 935,50 |
| 1250 - 2250 | Kr. 3,534 | Kr. 883,50 |
| 2500 + | Kr. 3,364 | Kr. 841,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4358
- Producentens varenummer:
- CSD17381F4T
- Brand:
- Texas Instruments
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PICOSTAR | |
| Serie | FemtoFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.04nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.73V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 0.64 mm | |
| Længde | 1.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PICOSTAR | ||
Serie FemtoFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.04nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.73V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 0.64 mm | ||
Længde 1.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N-kanal FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-transistorer, Texas Instruments
Relaterede links
- Texas Instruments N-Kanal 3 3 ben FemtoFET CSD17381F4T
- Texas Instruments N-Kanal 3 A 30 V PICOSTAR, FemtoFET CSD17484F4T
- Texas Instruments N-Kanal 2 PICOSTAR CSD17382F4T
- Texas Instruments N-Kanal 1 PICOSTAR CSD17483F4T
- Texas Instruments N-Kanal 2 PICOSTAR CSD13381F4T
- Texas Instruments N-Kanal 2 PICOSTAR CSD13383F4T
- Texas Instruments N-Kanal 8 A 52 A, Picostar YSE 6 CSD83325LT
- Texas Instruments P-Kanal -3 PICOSTAR CSD25501F3T
