STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- RS-varenummer:
- 168-5800
- Producentens varenummer:
- STP19NF20
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 328,15
(ekskl. moms)
Kr. 410,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,563 | Kr. 328,15 |
| 100 - 200 | Kr. 6,392 | Kr. 319,60 |
| 250 - 450 | Kr. 6,228 | Kr. 311,40 |
| 500 + | Kr. 6,071 | Kr. 303,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-5800
- Producentens varenummer:
- STP19NF20
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | STripFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Højde | 9.15mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie STripFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Højde 9.15mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N-kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET Nej STP19NF20
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET Nej STF19NF20
- STMicroelectronics Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET Nej IRF630
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET Nej STP30NF20
