STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 3 A 500 V, 3 ben, DPAK (TO-252), MDmesh, SuperMESH STD4NK50ZT4

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

3 A

Drain source spænding maks.

500 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Kapslingstype

DPAK (TO-252)

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

2,7 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4.5V

Mindste tærskelspænding for port

3V

Effektafsættelse maks.

45 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Bredde

6.2mm

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

6.6mm

Transistormateriale

Si

Gate-ladning ved Vgs typisk

12 nC ved 10 V

Højde

2.4mm

Driftstemperatur min.

-55 °C