STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 168-6699
- Producentens varenummer:
- STP14NK50ZFP
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 552,90
(ekskl. moms)
Kr. 691,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 850 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 11,058 | Kr. 552,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-6699
- Producentens varenummer:
- STP14NK50ZFP
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 380mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 35W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.3mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 380mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 35W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.3mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7.2 A 500 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 800 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-247