STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-263 Nej STB14NK50ZT4
- RS-varenummer:
- 687-5116
- Producentens varenummer:
- STB14NK50ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 28,35
(ekskl. moms)
Kr. 35,438
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 14,175 | Kr. 28,35 |
| 10 - 98 | Kr. 11,97 | Kr. 23,94 |
| 100 - 498 | Kr. 9,575 | Kr. 19,15 |
| 500 - 998 | Kr. 8,565 | Kr. 17,13 |
| 1000 + | Kr. 7,145 | Kr. 14,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-5116
- Producentens varenummer:
- STB14NK50ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 380mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bredde | 9.35 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 380mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Bredde 9.35 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB14NK50ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 7 3 ben MDmesh, SuperMESH STB9NK50ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 5.8 A 900 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB6NK90ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 5 3 ben MDmesh, SuperMESH STB7NK80ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB10NK60ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB4NK60ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 5 3 ben MDmesh, SuperMESH STB6NK90ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 600 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB9NK60ZT4
