STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- RS-varenummer:
- 168-6705
- Producentens varenummer:
- STP24NF10
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 370,70
(ekskl. moms)
Kr. 463,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 400 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
- Plus 800 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 7,414 | Kr. 370,70 |
| 500 - 1200 | Kr. 6,753 | Kr. 337,65 |
| 1250 + | Kr. 5,628 | Kr. 281,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-6705
- Producentens varenummer:
- STP24NF10
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | STripFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 85W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 9.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie STripFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 85W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 9.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 26 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 120 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 50 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 16 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET