STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 15 A 100 V, 3 ben, TO-220, STripFET STP14NF10
- RS-varenummer:
- 168-6899
- Producentens varenummer:
- STP14NF10
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 207,50
(ekskl. moms)
Kr. 259,50
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 4,15 | Kr. 207,50 |
| 100 - 450 | Kr. 3,364 | Kr. 168,20 |
| 500 - 950 | Kr. 3,275 | Kr. 163,75 |
| 1000 - 4950 | Kr. 3,192 | Kr. 159,60 |
| 5000 + | Kr. 3,112 | Kr. 155,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-6899
- Producentens varenummer:
- STP14NF10
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 15 A | |
| Drain source spænding maks. | 100 V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapslingstype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 130 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 60 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 15,5 nC ved 10 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 10.4mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 9.15mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 15 A | ||
Drain source spænding maks. 100 V | ||
Serie STripFET | ||
Kapslingstype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 130 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 60 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 15,5 nC ved 10 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 10.4mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bredde 4.6mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 9.15mm | ||
RoHS Status: Undtaget
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 100 V TO-220, STripFET STP14NF10
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 60 V TO-220, STripFET STP20NF06L
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 40 V TO-220, STripFET STP100NF04
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 100 V TO-220, STripFET STP35NF10
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 60 V TO-220, STripFET STP80NF06
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 40 V TO-220, STripFET STP200NF04
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 33 V TO-220, STripFET STP75NS04Z